PJM10H10NSC
IC
SOT-23-3
可供量大可议
PJM10H10NSC
N沟道， VDS=100V ID=10A, PD:1.2W RDS(ON)<110mΩ@Vgs=10V
品牌
PJSEMI
封装
SOT-23-3
库存
2,245
货期
现货
PJM10H10NSC参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2245 |
PJM10H10NSC概述
N沟道， VDS=100V ID=10A, PD:1.2W RDS(ON)<110mΩ@Vgs=10V
PJM10H10NSC特性
暂无产品特性。
PJM10H10NSC应用领域
暂无应用领域。