PJM10H06NSQ
IC
SOT-89
可供量大可议
PJM10H06NSQ
N沟道， VDS=100V ID=6A, PD:1.35W RDS(ON)<140mΩ@Vgs=10V, Trench工艺
品牌
PJSEMI
封装
SOT-89
库存
145
货期
现货
PJM10H06NSQ参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 145 |
PJM10H06NSQ概述
N沟道， VDS=100V ID=6A, PD:1.35W RDS(ON)<140mΩ@Vgs=10V, Trench工艺
PJM10H06NSQ特性
暂无产品特性。
PJM10H06NSQ应用领域
暂无应用领域。