PJM10H03NSC
IC
SOT-23-3
可供量大可议
PJM10H03NSC
特性：VDS = 100V， ID = 3A。 RDS(ON) < 160mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 170mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V。 高密度单元设计， 实现超低RDS(ON)。 出色的封装， 利于散热。 应用：电源开关应用。 不间断电源
品牌
PJSEMI
封装
SOT-23-3
库存
2,720
货期
现货
PJM10H03NSC参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2720 |
PJM10H03NSC概述
特性：VDS = 100V， ID = 3A。 RDS(ON) < 160mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 170mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V。 高密度单元设计， 实现超低RDS(ON)。 出色的封装， 利于散热。 应用：电源开关应用。 不间断电源
PJM10H03NSC特性
暂无产品特性。
PJM10H03NSC应用领域
暂无应用领域。