PJM07P20SA
IC
SOT-23
可供量大可议
PJM07P20SA
特性：SOT-23。 低栅极电荷。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻RDS(ON)。 VDS = -20V， ID = -7A， RDS(ON) < 28mΩ @ VGS = -10V。 应用：负载开关。 PWM应用
品牌
PJSEMI
封装
SOT-23
库存
3,780
货期
现货
PJM07P20SA参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3780 |
PJM07P20SA概述
特性：SOT-23。 低栅极电荷。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻RDS(ON)。 VDS = -20V， ID = -7A， RDS(ON) < 28mΩ @ VGS = -10V。 应用：负载开关。 PWM应用
PJM07P20SA特性
暂无产品特性。
PJM07P20SA应用领域
暂无应用领域。