PJM03N10SQ
IC
SOT-89
可供量大可议
PJM03N10SQ
N沟道， VDS=100V ID=3A, PD:1.35W RDS(ON)<178mΩ@Vgs=10V, Trench工艺
品牌
PJSEMI
封装
SOT-89
库存
160
货期
现货
PJM03N10SQ参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 160 |
PJM03N10SQ概述
N沟道， VDS=100V ID=3A, PD:1.35W RDS(ON)<178mΩ@Vgs=10V, Trench工艺
PJM03N10SQ特性
暂无产品特性。
PJM03N10SQ应用领域
暂无应用领域。