PJM01N20KDC
IC
DFN-3L(1x0.6)
可供量大可议
PJM01N20KDC
特性：低栅极电荷和低导通电阻RDS(ON)。 ESD保护（HBM）高达2KV。 VDS = 20V， Id = 0.8A。 RDS(ON) < 310mΩ @ VGS = 4.5V。 应用：负载开关。 PWM应用
品牌
PJSEMI
封装
DFN-3L(1x0.6)
库存
10,120
货期
现货
PJM01N20KDC参数
| 封装 | DFN-3L(1x0.6) |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10120 |
PJM01N20KDC概述
特性：低栅极电荷和低导通电阻RDS(ON)。 ESD保护（HBM）高达2KV。 VDS = 20V， Id = 0.8A。 RDS(ON) < 310mΩ @ VGS = 4.5V。 应用：负载开关。 PWM应用
PJM01N20KDC特性
暂无产品特性。
PJM01N20KDC应用领域
暂无应用领域。