PJEC3V3M1FN2
IC
DFN1006-2
可供量大可议
PJEC3V3M1FN2
特性：保护一条数据线。 超低泄漏：nA级别。 工作电压：3.3V。 超低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV， 接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-5（雷电）8A（8/20μs）。 应用：手机及配件。 个人数字助理
品牌
Leiditech
封装
DFN1006-2
库存
4
货期
现货
PJEC3V3M1FN2参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | Leiditech(雷卯电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
PJEC3V3M1FN2概述
特性：保护一条数据线。 超低泄漏：nA级别。 工作电压：3.3V。 超低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV， 接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-5（雷电）8A（8/20μs）。 应用：手机及配件。 个人数字助理
PJEC3V3M1FN2特性
暂无产品特性。
PJEC3V3M1FN2应用领域
暂无应用领域。