PJD50N10AL-AU_L2_000A1
IC
TO-252
可供量大可议
PJD50N10AL-AU_L2_000A1
特性：RDS(ON)， VGS@10V， ID@20A < 25mΩ。 RDS(ON)， VGS@4.5V， ID@15A < 28.5mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品。 采用符合 IEC61249 标准的绿色模塑料（无卤）
品牌
PANJIT
封装
TO-252
库存
2,498
货期
现货
PJD50N10AL-AU_L2_000A1参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | PANJIT(强茂) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2498 |
PJD50N10AL-AU_L2_000A1概述
特性：RDS(ON)， VGS@10V， ID@20A < 25mΩ。 RDS(ON)， VGS@4.5V， ID@15A < 28.5mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品。 采用符合 IEC61249 标准的绿色模塑料（无卤）
PJD50N10AL-AU_L2_000A1特性
暂无产品特性。
PJD50N10AL-AU_L2_000A1应用领域
暂无应用领域。