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PJA3441_R1_00001
IC

SOT-23

可供量大可议

PJA3441_R1_00001

特性:RDS(ON), VGS@-10V, ID@-3.1A < 88mΩ。 RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-2.6A < 108mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用等设计。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。 符合IEC61249标准的绿色模塑料(无卤)

品牌

PANJIT

封装

SOT-23

库存

255

货期

现货

PJA3441_R1_00001参数

封装SOT-23
品牌PANJIT(强茂)
MOQ / SPQ1 / 5
漏源电压(Vdss)40V
耗散功率(Pd)1.25W
栅极电荷量(Qg)6nC@4.5V
反向传输电容(Crss)33pF
类型P沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存255
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))108mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))2.5V
输入电容(Ciss)505pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)48pF

PJA3441_R1_00001概述

场效应管(MOSFET) 1.25W 40V 3.1A 1个P沟道

PJA3441_R1_00001特性

暂无产品特性。

PJA3441_R1_00001应用领域

暂无应用领域。

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