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PIC24FJ128GA306-I/MR
IC

QFN-64-EP(9x9)

可供量大可议

PIC24FJ128GA306-I/MR

特性:多种电源管理选项, 可极大降低功耗:VBAT允许设备在RTCC模式下切换到备用电池, 实现最低功耗。 深度睡眠模式可近乎完全断电, 并能通过外部触发唤醒。 睡眠和空闲模式可选择性关闭外设和/或内核, 大幅降低功耗并实现快速唤醒。 打盹模式允许CPU以低于外设的时钟速度运行。 备用时钟模式允许即时切换到较低时钟速度, 以选择性降低功耗。 深度睡眠模式下超低功耗电流消耗:WDT:典型值为3.3V时270nA。 RTCC:典型值为≈32kHz、3.3V时400nA。 深度睡眠电流典型值为3.3V时40nA

品牌

MICROCHIP

封装

QFN-64-EP(9x9)

库存

5

货期

现货

PIC24FJ128GA306-I/MR参数

封装QFN-64-EP(9x9)
品牌MICROCHIP(美国微芯)
MOQ / SPQ1 / 1
分类单片机(MCU/MPU/SOC)
库存5

PIC24FJ128GA306-I/MR概述

特性:多种电源管理选项, 可极大降低功耗:VBAT允许设备在RTCC模式下切换到备用电池, 实现最低功耗。 深度睡眠模式可近乎完全断电, 并能通过外部触发唤醒。 睡眠和空闲模式可选择性关闭外设和/或内核, 大幅降低功耗并实现快速唤醒。 打盹模式允许CPU以低于外设的时钟速度运行。 备用时钟模式允许即时切换到较低时钟速度, 以选择性降低功耗。 深度睡眠模式下超低功耗电流消耗:WDT:典型值为3.3V时270nA。 RTCC:典型值为≈32kHz、3.3V时400nA。 深度睡眠电流典型值为3.3V时40nA

PIC24FJ128GA306-I/MR特性

暂无产品特性。

PIC24FJ128GA306-I/MR应用领域

暂无应用领域。

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