PIC16F1513-I/SO
IC
SOIC-28-300mil
可供量大可议
PIC16F1513-I/SO
特性:高性能 RISC CPU, C 编译器优化架构, 仅 49 条指令。 工作速度:2.5V 时直流-20 MHz 时钟输入; 1.8V 时直流-16 MHz 时钟输入; 直流-200 ns 指令周期。 具有自动上下文保存的中断能力。 16 级深度硬件堆栈, 可选溢出/下溢复位。 直接、间接和相对寻址模式, 两个完整的 16 位文件选择寄存器(FSRs), FSRs 可读取程序和数据存储器。 高达 7 Kbytes 线性程序存储器寻址。 高达 256 线性数据存储器寻址。 高耐久性闪存数据存储器(HEF), 128B 非易失性数据存储, 100K 擦除/写入周期
品牌
MICROCHIP
封装
SOIC-28-300mil
库存
57
货期
现货
PIC16F1513-I/SO参数
| 封装 | SOIC-28-300mil |
|---|---|
| 品牌 | MICROCHIP(美国微芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 单片机(MCU/MPU/SOC) |
|---|---|
| 库存 | 57 |
PIC16F1513-I/SO概述
特性:高性能 RISC CPU, C 编译器优化架构, 仅 49 条指令。 工作速度:2.5V 时直流-20 MHz 时钟输入; 1.8V 时直流-16 MHz 时钟输入; 直流-200 ns 指令周期。 具有自动上下文保存的中断能力。 16 级深度硬件堆栈, 可选溢出/下溢复位。 直接、间接和相对寻址模式, 两个完整的 16 位文件选择寄存器(FSRs), FSRs 可读取程序和数据存储器。 高达 7 Kbytes 线性程序存储器寻址。 高达 256 线性数据存储器寻址。 高耐久性闪存数据存储器(HEF), 128B 非易失性数据存储, 100K 擦除/写入周期
PIC16F1513-I/SO特性
暂无产品特性。
PIC16F1513-I/SO应用领域
暂无应用领域。
