PHT6NQ10T-VB
IC
SOT-223
可供量大可议
PHT6NQ10T-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道型器件， 采用Trench工艺制造， 适用于低功率电源模块、汽车电子、智能家居等领域。 SOT223； N—Channel沟道, 100V； 5A； RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~3V
品牌
VBsemi
封装
SOT-223
库存
25
货期
现货
PHT6NQ10T-VB参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V |
| 类型 | N沟道 |
| 商品型号 | PHT6NQ10T-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00029 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
PHT6NQ10T-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道型器件， 采用Trench工艺制造， 适用于低功率电源模块、汽车电子、智能家居等领域。 SOT223； N—Channel沟道, 100V； 5A； RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~3V
PHT6NQ10T-VB特性
- 根据IEC 61249-2-21定义, 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 符合RoHS指令2002/95/EC
PHT6NQ10T-VB应用领域
暂无应用领域。