PHKD3NQ10T, 518-VB
IC
SO-8
可供量大可议
PHKD3NQ10T, 518-VB
N+N沟道； 电压：100V； 电流：5.8A； 导通电阻：63(mΩ)
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
5
货期
现货
PHKD3NQ10T, 518-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
PHKD3NQ10T, 518-VB概述
N+N沟道； 电压：100V； 电流：5.8A； 导通电阻：63(mΩ)
PHKD3NQ10T, 518-VB特性
暂无产品特性。
PHKD3NQ10T, 518-VB应用领域
暂无应用领域。