PHK18NQ03LT-HXY

该N沟道MOSFET具备15A的连续漏极电流和30V的漏源击穿电压， 导通电阻为7.5毫欧。 在常规栅极驱动条件下可实现高效导通， 适用于中等功率的电源转换、负载开关及同步整流等电路。 其较低的导通电阻有助于减小通态损耗， 提升系统能效， 同时支持较高频率的开关操作， 适合对体积与效率有平衡需求的电子设备。