PHD82NQ03LT-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻为5毫欧。 其低RDS(ON)有助于显著降低导通损耗， 在高电流工作条件下仍能维持较高的效率和较低的温升。 适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换系统， 如服务器、通信设备及高性能计算平台中的同步整流、负载开关和DC-DC转换模块。 器件在高频开关应用中亦能保持良好的动态特性。