PHD71NQ03LT-VB
IC
TO-252
可供量大可议
PHD71NQ03LT-VB
台积电流片， 长电科技封装； 这是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。 TO252； N—Channel沟道, 30V； 100A； RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
20
货期
现货
PHD71NQ03LT-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
PHD71NQ03LT-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 这是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。 TO252； N—Channel沟道, 30V； 100A； RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
PHD71NQ03LT-VB特性
暂无产品特性。
PHD71NQ03LT-VB应用领域
暂无应用领域。