PHD55N03LT-VB
IC
TO-252
可供量大可议
PHD55N03LT-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 设计用于各种功率控制和驱动应用。 采用Trench工艺， 适用于各种功率控制和驱动应用， 包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252； N—Channel沟道, 30V； 80A； RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
48
货期
现货
PHD55N03LT-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
PHD55N03LT-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 设计用于各种功率控制和驱动应用。 采用Trench工艺， 适用于各种功率控制和驱动应用， 包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252； N—Channel沟道, 30V； 80A； RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~2.5V
PHD55N03LT-VB特性
暂无产品特性。
PHD55N03LT-VB应用领域
暂无应用领域。