PHD38N02LT-VB
IC
TO-252
可供量大可议
PHD38N02LT-VB
TO252； N—Channel沟道, 20V； 100A； RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=4.5V, VGS=15V； Vth=0.5~1.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
48
货期
现货
PHD38N02LT-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
PHD38N02LT-VB概述
TO252； N—Channel沟道, 20V； 100A； RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=4.5V, VGS=15V； Vth=0.5~1.5V
PHD38N02LT-VB特性
暂无产品特性。
PHD38N02LT-VB应用领域
暂无应用领域。