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PHD34NQ10T-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

PHD34NQ10T-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为30A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻典型值为37毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 器件凭借低导通损耗与高电压承受能力, 适用于大功率直流电机驱动、电池管理系统及高效电源转换模块。 在高频开关电路中, 其优异的动态特性可显著降低热耗散, 提升系统整体能效表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

25

货期

现货

PHD34NQ10T-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存25

PHD34NQ10T-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为30A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻典型值为37毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 器件凭借低导通损耗与高电压承受能力, 适用于大功率直流电机驱动、电池管理系统及高效电源转换模块。 在高频开关电路中, 其优异的动态特性可显著降低热耗散, 提升系统整体能效表现。

PHD34NQ10T-HXY特性

暂无产品特性。

PHD34NQ10T-HXY应用领域

暂无应用领域。

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