PHD34NQ10T-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
PHD34NQ10T-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为30A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻典型值为37毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 器件凭借低导通损耗与高电压承受能力, 适用于大功率直流电机驱动、电池管理系统及高效电源转换模块。 在高频开关电路中, 其优异的动态特性可显著降低热耗散, 提升系统整体能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
25
货期
现货
PHD34NQ10T-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
PHD34NQ10T-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为30A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻典型值为37毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 器件凭借低导通损耗与高电压承受能力, 适用于大功率直流电机驱动、电池管理系统及高效电源转换模块。 在高频开关电路中, 其优异的动态特性可显著降低热耗散, 提升系统整体能效表现。
PHD34NQ10T-HXY特性
暂无产品特性。
PHD34NQ10T-HXY应用领域
暂无应用领域。
