PHD18NQ10T-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
PHD18NQ10T-HXY
该N沟道场效应管额定漏源电压为100V, 支持20A连续漏极电流, 导通电阻典型值为80毫欧。 低阻抗特性有助于减小通路压降与功率损耗, 提升系统整体能效。 器件适用于开关电源、直流电机驱动及电池管理模块中的功率切换环节, 在高频脉冲工作条件下可保持稳定的电气性能与良好的热平衡表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
PHD18NQ10T-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
PHD18NQ10T-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏源电压为100V, 支持20A连续漏极电流, 导通电阻典型值为80毫欧。 低阻抗特性有助于减小通路压降与功率损耗, 提升系统整体能效。 器件适用于开关电源、直流电机驱动及电池管理模块中的功率切换环节, 在高频脉冲工作条件下可保持稳定的电气性能与良好的热平衡表现。
PHD18NQ10T-HXY特性
暂无产品特性。
PHD18NQ10T-HXY应用领域
暂无应用领域。
