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PHD18NQ10T-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

PHD18NQ10T-HXY

该N沟道场效应管额定漏源电压为100V, 支持20A连续漏极电流, 导通电阻典型值为80毫欧。 低阻抗特性有助于减小通路压降与功率损耗, 提升系统整体能效。 器件适用于开关电源、直流电机驱动及电池管理模块中的功率切换环节, 在高频脉冲工作条件下可保持稳定的电气性能与良好的热平衡表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

PHD18NQ10T-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

PHD18NQ10T-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏源电压为100V, 支持20A连续漏极电流, 导通电阻典型值为80毫欧。 低阻抗特性有助于减小通路压降与功率损耗, 提升系统整体能效。 器件适用于开关电源、直流电机驱动及电池管理模块中的功率切换环节, 在高频脉冲工作条件下可保持稳定的电气性能与良好的热平衡表现。

PHD18NQ10T-HXY特性

暂无产品特性。

PHD18NQ10T-HXY应用领域

暂无应用领域。

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