PHB27NQ10T-JSM
IC
TO-263-2
可供量大可议
PHB27NQ10T-JSM
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：40mR @20A, 10V
品牌
JSMSEMI
封装
TO-263-2
库存
100
货期
现货
PHB27NQ10T-JSM参数
| 封装 | TO-263-2 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
PHB27NQ10T-JSM概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：40mR @20A, 10V
PHB27NQ10T-JSM特性
暂无产品特性。
PHB27NQ10T-JSM应用领域
暂无应用领域。