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PESDUC2FD3V3B
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

PESDUC2FD3V3B

PESDUC2FD3V3B静电放电(ESD)保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。 其特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 与MLV相比, 在电路板级保护方面具有理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低且无器件性能退化问题。 PESDUC2FD3V3B可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压感应瞬态事件的损坏或干扰。 PESDUC2FD3V3B采用DFN1006 - 2L封装, 工作电压为3.3伏。 它为设计师提供了灵活性, 可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。 此外, 在电路板空间有限的应用中, 它可以分散布置在电路板上。

品牌

Prisemi

封装

DFN1006-2L

库存

45,540

货期

现货

PESDUC2FD3V3B参数

封装DFN1006-2L
品牌Prisemi(芯导)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存45540

PESDUC2FD3V3B概述

PESDUC2FD3V3B静电放电(ESD)保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。 其特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 与MLV相比, 在电路板级保护方面具有理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低且无器件性能退化问题。 PESDUC2FD3V3B可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压感应瞬态事件的损坏或干扰。 PESDUC2FD3V3B采用DFN1006 - 2L封装, 工作电压为3.3伏。 它为设计师提供了灵活性, 可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。 此外, 在电路板空间有限的应用中, 它可以分散布置在电路板上。

PESDUC2FD3V3B特性

暂无产品特性。

PESDUC2FD3V3B应用领域

暂无应用领域。

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