PESDUC2FD3V3B
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
PESDUC2FD3V3B
PESDUC2FD3V3B静电放电(ESD)保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。 其特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 与MLV相比, 在电路板级保护方面具有理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低且无器件性能退化问题。 PESDUC2FD3V3B可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压感应瞬态事件的损坏或干扰。 PESDUC2FD3V3B采用DFN1006 - 2L封装, 工作电压为3.3伏。 它为设计师提供了灵活性, 可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。 此外, 在电路板空间有限的应用中, 它可以分散布置在电路板上。
品牌
Prisemi
封装
DFN1006-2L
库存
45,540
货期
现货
PESDUC2FD3V3B参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 45540 |
PESDUC2FD3V3B概述
PESDUC2FD3V3B静电放电(ESD)保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。 其特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 与MLV相比, 在电路板级保护方面具有理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低且无器件性能退化问题。 PESDUC2FD3V3B可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压感应瞬态事件的损坏或干扰。 PESDUC2FD3V3B采用DFN1006 - 2L封装, 工作电压为3.3伏。 它为设计师提供了灵活性, 可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。 此外, 在电路板空间有限的应用中, 它可以分散布置在电路板上。
PESDUC2FD3V3B特性
暂无产品特性。
PESDUC2FD3V3B应用领域
暂无应用领域。
