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PESDU3361P1
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

PESDU3361P1

PESDU3361P1是双向瞬态电压抑制(TVS)二极管, 响应速度快、电容极低且静电放电(ESD)钳位电压低, 是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。 该器件符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准, 空气放电和接触放电均可达±30kV。 它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。 其尺寸小、电容极低, 是保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口及其他众多便携式应用的理想之选。

品牌

PN SILICON

封装

DFN1006-2L

库存

8,040

货期

现货

PESDU3361P1参数

封装DFN1006-2L
品牌PN SILICON(智晶)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存8040

PESDU3361P1概述

PESDU3361P1是双向瞬态电压抑制(TVS)二极管, 响应速度快、电容极低且静电放电(ESD)钳位电压低, 是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。 该器件符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准, 空气放电和接触放电均可达±30kV。 它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。 其尺寸小、电容极低, 是保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口及其他众多便携式应用的理想之选。

PESDU3361P1特性

暂无产品特性。

PESDU3361P1应用领域

暂无应用领域。

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