PESDU3361P1
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
PESDU3361P1
PESDU3361P1是双向瞬态电压抑制(TVS)二极管, 响应速度快、电容极低且静电放电(ESD)钳位电压低, 是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。 该器件符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准, 空气放电和接触放电均可达±30kV。 它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。 其尺寸小、电容极低, 是保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口及其他众多便携式应用的理想之选。
品牌
PN SILICON
封装
DFN1006-2L
库存
8,040
货期
现货
PESDU3361P1参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | PN SILICON(智晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 8040 |
PESDU3361P1概述
PESDU3361P1是双向瞬态电压抑制(TVS)二极管, 响应速度快、电容极低且静电放电(ESD)钳位电压低, 是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。 该器件符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准, 空气放电和接触放电均可达±30kV。 它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅DFN封装。 其尺寸小、电容极低, 是保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口及其他众多便携式应用的理想之选。
PESDU3361P1特性
暂无产品特性。
PESDU3361P1应用领域
暂无应用领域。
