PESDU3321P0
IC
DFN0603-2
可供量大可议
PESDU3321P0
PESDU3321P0是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管, 响应速度快, 静电放电(ESD)钳位电压低, 是保护电压敏感数据的理想选择。 该器件符合IEC 61000-4-2(ESD)标准, 空气放电和接触放电均可达±30kV。 它采用超小型0.6x0.3x0.3mm无铅DFN封装。 超小尺寸和高ESD保护能力使PESDU3321P0成为替代0201尺寸多层压敏电阻(MLV)的理想选择, 可用于保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式设备。
品牌
PN SILICON
封装
DFN0603-2
库存
2,340
货期
现货
PESDU3321P0参数
| 封装 | DFN0603-2 |
|---|---|
| 品牌 | PN SILICON(智晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2340 |
PESDU3321P0概述
PESDU3321P0是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管, 响应速度快, 静电放电(ESD)钳位电压低, 是保护电压敏感数据的理想选择。 该器件符合IEC 61000-4-2(ESD)标准, 空气放电和接触放电均可达±30kV。 它采用超小型0.6x0.3x0.3mm无铅DFN封装。 超小尺寸和高ESD保护能力使PESDU3321P0成为替代0201尺寸多层压敏电阻(MLV)的理想选择, 可用于保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式设备。
PESDU3321P0特性
暂无产品特性。
PESDU3321P0应用领域
暂无应用领域。
