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PESDU3321P0
IC

DFN0603-2

可供量大可议

PESDU3321P0

PESDU3321P0是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管, 响应速度快, 静电放电(ESD)钳位电压低, 是保护电压敏感数据的理想选择。 该器件符合IEC 61000-4-2(ESD)标准, 空气放电和接触放电均可达±30kV。 它采用超小型0.6x0.3x0.3mm无铅DFN封装。 超小尺寸和高ESD保护能力使PESDU3321P0成为替代0201尺寸多层压敏电阻(MLV)的理想选择, 可用于保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式设备。

品牌

PN SILICON

封装

DFN0603-2

库存

2,340

货期

现货

PESDU3321P0参数

封装DFN0603-2
品牌PN SILICON(智晶)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存2340

PESDU3321P0概述

PESDU3321P0是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管, 响应速度快, 静电放电(ESD)钳位电压低, 是保护电压敏感数据的理想选择。 该器件符合IEC 61000-4-2(ESD)标准, 空气放电和接触放电均可达±30kV。 它采用超小型0.6x0.3x0.3mm无铅DFN封装。 超小尺寸和高ESD保护能力使PESDU3321P0成为替代0201尺寸多层压敏电阻(MLV)的理想选择, 可用于保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式设备。

PESDU3321P0特性

暂无产品特性。

PESDU3321P0应用领域

暂无应用领域。

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