PESDU0521P0N
IC
DFN0603-2
可供量大可议
PESDU0521P0N
PESDU0521P0N是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管, 采用先进的单片硅技术, 具有快速响应时间和低静电放电(ESD)钳位电压, 是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。 该器件符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准, 空气放电±15 kV, 接触放电±8 kV。 它采用超小型0.6x0.3x0.3 mm无铅DFN封装。 超小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU0521P0N成为替代0201尺寸多层压敏电阻(MLV)的理想选择, 可用于保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式应用设备。
品牌
PN SILICON
封装
DFN0603-2
库存
2,980
货期
现货
PESDU0521P0N参数
| 封装 | DFN0603-2 |
|---|---|
| 品牌 | PN SILICON(智晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2980 |
PESDU0521P0N概述
PESDU0521P0N是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管, 采用先进的单片硅技术, 具有快速响应时间和低静电放电(ESD)钳位电压, 是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。 该器件符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准, 空气放电±15 kV, 接触放电±8 kV。 它采用超小型0.6x0.3x0.3 mm无铅DFN封装。 超小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU0521P0N成为替代0201尺寸多层压敏电阻(MLV)的理想选择, 可用于保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式应用设备。
PESDU0521P0N特性
暂无产品特性。
PESDU0521P0N应用领域
暂无应用领域。
