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PESDU0521P0N
IC

DFN0603-2

可供量大可议

PESDU0521P0N

PESDU0521P0N是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管, 采用先进的单片硅技术, 具有快速响应时间和低静电放电(ESD)钳位电压, 是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。 该器件符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准, 空气放电±15 kV, 接触放电±8 kV。 它采用超小型0.6x0.3x0.3 mm无铅DFN封装。 超小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU0521P0N成为替代0201尺寸多层压敏电阻(MLV)的理想选择, 可用于保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式应用设备。

品牌

PN SILICON

封装

DFN0603-2

库存

2,980

货期

现货

PESDU0521P0N参数

封装DFN0603-2
品牌PN SILICON(智晶)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存2980

PESDU0521P0N概述

PESDU0521P0N是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管, 采用先进的单片硅技术, 具有快速响应时间和低静电放电(ESD)钳位电压, 是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。 该器件符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准, 空气放电±15 kV, 接触放电±8 kV。 它采用超小型0.6x0.3x0.3 mm无铅DFN封装。 超小尺寸和高ESD浪涌保护能力使PESDU0521P0N成为替代0201尺寸多层压敏电阻(MLV)的理想选择, 可用于保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式应用设备。

PESDU0521P0N特性

暂无产品特性。

PESDU0521P0N应用领域

暂无应用领域。

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