DFN1006-2L
PESDSC2FD5VU
PESDSC2FD5VU静电放电(ESD)保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。 其特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低, 且与MLV相比无器件性能退化问题。 PESDSC2FD5VU可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。 PESDSC2FD5VU采用DFN1006 - 2L封装, 工作电压为5伏。 它为设计师提供了灵活性, 可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。 此外, 在电路板空间有限的应用中, 它可以“分散”布置在电路板周围。 该器件可用于满足IEC 61000 - 4 - 2标准4级(±15 KV空气放电、±8 KV接触放电)的ESD抗扰度要求。
品牌
Prisemi
封装
DFN1006-2L
库存
7,100
货期
现货
PESDSC2FD5VU参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 7100 |
PESDSC2FD5VU概述
PESDSC2FD5VU静电放电(ESD)保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。 其特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低, 且与MLV相比无器件性能退化问题。 PESDSC2FD5VU可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。 PESDSC2FD5VU采用DFN1006 - 2L封装, 工作电压为5伏。 它为设计师提供了灵活性, 可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。 此外, 在电路板空间有限的应用中, 它可以“分散”布置在电路板周围。 该器件可用于满足IEC 61000 - 4 - 2标准4级(±15 KV空气放电、±8 KV接触放电)的ESD抗扰度要求。
PESDSC2FD5VU特性
暂无产品特性。
PESDSC2FD5VU应用领域
暂无应用领域。
