PESDR0511P0A
IC
DFN0603-2
可供量大可议
PESDR0511P0A
PESDR0511P0A是一款超低电容TVS(瞬态电压抑制器), 旨在保护高速数据接口。 它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件, 使其免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。 PESDR0511P0A集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。 根据IEC61000 - 4 - 2标准, PESDR0511P0A可提供高达±15kV(接触放电)的ESD保护; 根据IEC61000 - 4 - 5标准, 可承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。 PESDR0511P0A采用DFN0603 - 2封装。 标准产品无铅且无卤。
品牌
PN SILICON
封装
DFN0603-2
库存
3,100
货期
现货
PESDR0511P0A参数
| 封装 | DFN0603-2 |
|---|---|
| 品牌 | PN SILICON(智晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 3100 |
PESDR0511P0A概述
PESDR0511P0A是一款超低电容TVS(瞬态电压抑制器), 旨在保护高速数据接口。 它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件, 使其免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。 PESDR0511P0A集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。 根据IEC61000 - 4 - 2标准, PESDR0511P0A可提供高达±15kV(接触放电)的ESD保护; 根据IEC61000 - 4 - 5标准, 可承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。 PESDR0511P0A采用DFN0603 - 2封装。 标准产品无铅且无卤。
PESDR0511P0A特性
暂无产品特性。
PESDR0511P0A应用领域
暂无应用领域。
