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PESDR0511P0A
IC

DFN0603-2

可供量大可议

PESDR0511P0A

PESDR0511P0A是一款超低电容TVS(瞬态电压抑制器), 旨在保护高速数据接口。 它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件, 使其免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。 PESDR0511P0A集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。 根据IEC61000 - 4 - 2标准, PESDR0511P0A可提供高达±15kV(接触放电)的ESD保护; 根据IEC61000 - 4 - 5标准, 可承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。 PESDR0511P0A采用DFN0603 - 2封装。 标准产品无铅且无卤。

品牌

PN SILICON

封装

DFN0603-2

库存

3,100

货期

现货

PESDR0511P0A参数

封装DFN0603-2
品牌PN SILICON(智晶)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存3100

PESDR0511P0A概述

PESDR0511P0A是一款超低电容TVS(瞬态电压抑制器), 旨在保护高速数据接口。 它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件, 使其免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。 PESDR0511P0A集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。 根据IEC61000 - 4 - 2标准, PESDR0511P0A可提供高达±15kV(接触放电)的ESD保护; 根据IEC61000 - 4 - 5标准, 可承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。 PESDR0511P0A采用DFN0603 - 2封装。 标准产品无铅且无卤。

PESDR0511P0A特性

暂无产品特性。

PESDR0511P0A应用领域

暂无应用领域。

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