PESDNC2FD7VB
自营可供
IC
DFN1006-2L
PESDNC2FD7VB
未分类
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
交期
现货
批次
两年内
PESDNC2FD7VB参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| 批次 | 两年内 |
| 极性 | 双向 |
| 钳位电压 | 17V |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 130W@8/20us |
| 反向电流(Ir) | 1uA |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 类型 | ESD |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 10,386 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 反向截止电压(Vrwm) | 7V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 9A@8/20us |
| 击穿电压(VBR) | 9V |
| 通道数 | 单路 |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4； IEC 61000-4-2 |
| Cj-结电容 | 8pF |
PESDNC2FD7VB概述
未分类