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PESDNC2FD5VBN
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

PESDNC2FD5VBN

PESDNC2FD5VBN可保护敏感半导体元件, 使其免受静电放电(ESD)及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障影响。 它们具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 具备适用于电路板级保护的理想电气特性, 如响应时间快、工作电压低等。 在不适合使用阵列的应用中, 它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性

品牌

Prisemi

封装

DFN1006-2L

库存

18,778

货期

现货

PESDNC2FD5VBN参数

封装DFN1006-2L
品牌Prisemi(芯导)
批次26+
极性双向
钳位电压9.5V
峰值脉冲功率(Ppp)45W@8/20us
反向电流(Ir)1uA
防护等级IEC 61000-4-4; IEC 61000-4-2
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存18,778
MOQ / SPQ1 / 1
反向截止电压(Vrwm)5V
峰值脉冲电流(Ipp)5.5A@8/20us
击穿电压(VBR)7V
工作温度-55℃~+150℃
Cj-结电容15pF

PESDNC2FD5VBN概述

PESDNC2FD5VBN可保护敏感半导体元件, 使其免受静电放电(ESD)及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障影响。 它们具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 具备适用于电路板级保护的理想电气特性, 如响应时间快、工作电压低等。 在不适合使用阵列的应用中, 它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性

PESDNC2FD5VBN特性

暂无产品特性。

PESDNC2FD5VBN应用领域

暂无应用领域。

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