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PESDNC2FD5VBH
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IC

DFN1006

PESDNC2FD5VBH

PESDNC2FD5VBH可保护敏感半导体元件, 使其免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。 它们具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 具备适用于电路板级保护的理想电气特性, 如快速响应时间、低工作电压。 在不适合使用阵列的应用中, 它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。

品牌

Prisemi

封装

DFN1006

交期

现货

批次

26+

PESDNC2FD5VBH参数

封装DFN1006
品牌Prisemi(芯导)
批次26+
极性双向
钳位电压10V
峰值脉冲功率(Ppp)100W@8/20us
反向电流(Ir)1uA
防护等级IEC 61000-4-2
Cj-结电容35pF
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存30,008
MOQ / SPQ1 / 1
反向截止电压(Vrwm)5V
峰值脉冲电流(Ipp)10A
击穿电压(VBR)6.4V
通道数单路
类型ESD

PESDNC2FD5VBH概述

PESDNC2FD5VBH可保护敏感半导体元件, 使其免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。 它们具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 具备适用于电路板级保护的理想电气特性, 如快速响应时间、低工作电压。 在不适合使用阵列的应用中, 它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。

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