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PESDNC2FD4V5B
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

PESDNC2FD4V5B

PESDNC2FD4V5B可保护敏感半导体元件, 使其免受静电放电(ESD)及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障影响。 它们具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 具备适用于电路板级保护的理想电气特性, 如响应时间快、工作电压低等。 在不适合使用阵列的应用中, 它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。

品牌

Prisemi

封装

DFN1006-2L

库存

24,700

货期

现货

PESDNC2FD4V5B参数

封装DFN1006-2L
品牌Prisemi(芯导)
MOQ / SPQ1 / 50
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存24700

PESDNC2FD4V5B概述

PESDNC2FD4V5B可保护敏感半导体元件, 使其免受静电放电(ESD)及其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障影响。 它们具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 具备适用于电路板级保护的理想电气特性, 如响应时间快、工作电压低等。 在不适合使用阵列的应用中, 它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。

PESDNC2FD4V5B特性

暂无产品特性。

PESDNC2FD4V5B应用领域

暂无应用领域。

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