PESDNC2FD3V3B
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
PESDNC2FD3V3B
PESDNC2FD3V3B可保护敏感半导体元件, 使其免受静电放电(ESD)及其他电压瞬态事件造成的损坏或故障。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如快速响应时间、低工作电压。 在不适合使用阵列的应用中, 它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。
品牌
Prisemi
封装
DFN1006-2L
库存
35,650
货期
现货
PESDNC2FD3V3B参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 35650 |
PESDNC2FD3V3B概述
PESDNC2FD3V3B可保护敏感半导体元件, 使其免受静电放电(ESD)及其他电压瞬态事件造成的损坏或故障。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如快速响应时间、低工作电压。 在不适合使用阵列的应用中, 它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。
PESDNC2FD3V3B特性
暂无产品特性。
PESDNC2FD3V3B应用领域
暂无应用领域。
