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PESDNC2FD30VB
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

PESDNC2FD30VB

PESDNC2FD30VB可保护敏感半导体元件, 使其免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或故障。 它们具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如快速响应时间、低工作电压。 这使设计人员在不适合使用阵列的应用中能够灵活地保护一条双向线路

品牌

Prisemi

封装

DFN1006-2L

库存

5,320

货期

现货

PESDNC2FD30VB参数

封装DFN1006-2L
品牌Prisemi(芯导)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存5320

PESDNC2FD30VB概述

PESDNC2FD30VB可保护敏感半导体元件, 使其免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或故障。 它们具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供了理想的电气特性, 如快速响应时间、低工作电压。 这使设计人员在不适合使用阵列的应用中能够灵活地保护一条双向线路

PESDNC2FD30VB特性

暂无产品特性。

PESDNC2FD30VB应用领域

暂无应用领域。

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