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PESDNC2FD18VB
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

PESDNC2FD18VB

PESDNC2FD18VB可保护敏感半导体元件, 避免其因静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件而损坏或出现故障。 它们具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 具备适用于电路板级保护的理想电气特性, 如快速响应时间、低工作电压。 在不适合使用阵列的应用中, 它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。

品牌

Prisemi

封装

DFN1006-2L

库存

9,700

货期

现货

PESDNC2FD18VB参数

封装DFN1006-2L
品牌Prisemi(芯导)
MOQ / SPQ1 / 50
反向工作电压(Vrwm)18V
峰值脉冲电流(Ipp)5A@8/20us
击穿电压(VBR)24V
通道数单路
类型ESD
商品名称双向 18V截止 峰值浪涌电流:5A@8/20us
包装方式编带
商品类型静电和浪涌保护(TVS/ESD)
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存9700
极性双向
钳位电压31V
峰值脉冲功率(Ppp)150W@8/20us
反向漏电流(Ir)300nA
防护等级IEC 61000-4-4; IEC 61000-4-2
Cj-结电容22pF
商品型号PESDNC2FD18VB
单位个
商品重量1e-05

PESDNC2FD18VB概述

PESDNC2FD18VB可保护敏感半导体元件, 使其免受静电放电(ESD)及其他电压瞬变事件造成的损坏或故障。 它们具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 具备用于电路板级保护的理想电气特性, 如快速响应时间、低工作电压。 在不适用阵列的应用中, 它为设计人员提供了保护一条双向线路的灵活性。

PESDNC2FD18VB特性

  • 每线150W峰值脉冲功率(tP = 8/20μs)
  • DFN1006-2L封装
  • 可替代MLV(0402)
  • 双向配置
  • 典型响应时间< 1 ns
  • 低钳位电压
  • 符合RoHS标准
  • 数据线瞬态保护, 符合IEC61000-4-2(ESD)± 30KV(空气)、± 30KV(接触)
  • IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)

PESDNC2FD18VB应用领域

  • 手机
  • 便携式设备
  • 数码相机
  • 电源

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