PESDNC2FD12VU
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
PESDNC2FD12VU
PESDNC2FD12VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。 它们的特点是具有大截面积结， 可传导高瞬态电流， 为电路板级保护提供了理想的电气特性， 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低， 并且与多层压敏电阻相比， 不会出现器件性能衰退的问题。 PESDNC2FD12VU可保护敏感半导体元件， 使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或故障
品牌
Prisemi
封装
DFN1006-2L
库存
5,500
货期
现货
PESDNC2FD12VU参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 5500 |
PESDNC2FD12VU概述
PESDNC2FD12VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。 它们的特点是具有大截面积结， 可传导高瞬态电流， 为电路板级保护提供了理想的电气特性， 如响应时间快、工作电压低、钳位电压低， 并且与多层压敏电阻相比， 不会出现器件性能衰退的问题。 PESDNC2FD12VU可保护敏感半导体元件， 使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或故障
PESDNC2FD12VU特性
暂无产品特性。
PESDNC2FD12VU应用领域
暂无应用领域。