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PESDNC2FD12VBH
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

PESDNC2FD12VBH

PESDNC2FD12VBH可保护敏感半导体元件, 避免其因静电放电(ESD)和其他电压诱发的瞬态事件而损坏或出现故障。 它们具有大横截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供理想的电气特性, 如快速响应时间、低工作电压。 在不适合使用阵列的应用中, 它使设计人员能够灵活地保护一条双向线路。

品牌

Prisemi

封装

DFN1006-2L

库存

680

货期

现货

PESDNC2FD12VBH参数

封装DFN1006-2L
品牌Prisemi(芯导)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存680

PESDNC2FD12VBH概述

PESDNC2FD12VBH可保护敏感半导体元件, 避免其因静电放电(ESD)和其他电压诱发的瞬态事件而损坏或出现故障。 它们具有大横截面积结, 可传导高瞬态电流, 为电路板级保护提供理想的电气特性, 如快速响应时间、低工作电压。 在不适合使用阵列的应用中, 它使设计人员能够灵活地保护一条双向线路。

PESDNC2FD12VBH特性

暂无产品特性。

PESDNC2FD12VBH应用领域

暂无应用领域。

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