PESDHC2FD7VU
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
PESDHC2FD7VU
PESDHC2FD7VU静电放电(ESD)保护器专为替代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA))中的多层压敏电阻 (MLV) 而设计。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 与MLV相比, 具有快速响应时间、较低工作电压、较低钳位电压且无器件性能退化等理想的板级保护电气特性。 PESDHC2FD7VU可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。 PESDHC2FD7VU采用DFN1006-2L封装, 工作电压为7V。 它为设计人员提供了在不适合使用阵列的应用中保护单条单向线路的灵活性。 此外, 在电路板空间有限的应用中, 它可以“分散”布置在电路板周围。
品牌
Prisemi
封装
DFN1006-2L
库存
9,540
货期
现货
PESDHC2FD7VU参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 9540 |
PESDHC2FD7VU概述
PESDHC2FD7VU静电放电(ESD)保护器专为替代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA))中的多层压敏电阻 (MLV) 而设计。 它们的特点是具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 与MLV相比, 具有快速响应时间、较低工作电压、较低钳位电压且无器件性能退化等理想的板级保护电气特性。 PESDHC2FD7VU可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。 PESDHC2FD7VU采用DFN1006-2L封装, 工作电压为7V。 它为设计人员提供了在不适合使用阵列的应用中保护单条单向线路的灵活性。 此外, 在电路板空间有限的应用中, 它可以“分散”布置在电路板周围。
PESDHC2FD7VU特性
暂无产品特性。
PESDHC2FD7VU应用领域
暂无应用领域。
