PESDHC2FD5V5BH
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
PESDHC2FD5V5BH
保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。 它们具有大横截面积结, 用于传导高瞬态电流, 为板级保护提供理想的电气特性, 如快速响应时间、低工作电压。 它使设计人员能够在阵列不实用的应用中灵活保护一条双向线路。
品牌
Prisemi
封装
DFN1006-2L
库存
4,000
货期
现货
PESDHC2FD5V5BH参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 4000 |
PESDHC2FD5V5BH概述
保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。 它们具有大横截面积结, 用于传导高瞬态电流, 为板级保护提供理想的电气特性, 如快速响应时间、低工作电压。 它使设计人员能够在阵列不实用的应用中灵活保护一条双向线路。
PESDHC2FD5V5BH特性
暂无产品特性。
PESDHC2FD5V5BH应用领域
暂无应用领域。
