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PESDHC2FD5V5BH
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

PESDHC2FD5V5BH

保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。 它们具有大横截面积结, 用于传导高瞬态电流, 为板级保护提供理想的电气特性, 如快速响应时间、低工作电压。 它使设计人员能够在阵列不实用的应用中灵活保护一条双向线路。

品牌

Prisemi

封装

DFN1006-2L

库存

4,000

货期

现货

PESDHC2FD5V5BH参数

封装DFN1006-2L
品牌Prisemi(芯导)
MOQ / SPQ1 / 50
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存4000

PESDHC2FD5V5BH概述

保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。 它们具有大横截面积结, 用于传导高瞬态电流, 为板级保护提供理想的电气特性, 如快速响应时间、低工作电压。 它使设计人员能够在阵列不实用的应用中灵活保护一条双向线路。

PESDHC2FD5V5BH特性

暂无产品特性。

PESDHC2FD5V5BH应用领域

暂无应用领域。

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