PESDHC2FD4V5BHN
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
PESDHC2FD4V5BHN
PESDHC2FD4V5BHN可保护敏感半导体元件, 使其免受静电放电(ESD)及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。 它们具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 具备适用于电路板级保护的理想电气特性, 如响应时间快、工作电压低。 在不适合使用阵列的应用中, 它让设计人员能够灵活地保护一条双向线路
Brand
Prisemi
Package
DFN1006-2L
Stock
9,200
货期
现货
PESDHC2FD4V5BHNParameters
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 9200 |
PESDHC2FD4V5BHN概述
PESDHC2FD4V5BHN可保护敏感半导体元件, 使其免受静电放电(ESD)及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。 它们具有大截面积结, 可传导高瞬态电流, 具备适用于电路板级保护的理想电气特性, 如响应时间快、工作电压低。 在不适合使用阵列的应用中, 它让设计人员能够灵活地保护一条双向线路
PESDHC2FD4V5BHN特性
暂无产品特性。
PESDHC2FD4V5BHN应用领域
暂无应用领域。
