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PESDHC2FD4V5BH
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

PESDHC2FD4V5BH

PESDHC2FD4V5BH 可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或干扰。 它们具有大横截面积的结点, 可传导高瞬态电流, 并提供理想的板级保护电气特性, 例如快速响应时间和低工作电压。

品牌

Prisemi

封装

DFN1006-2L

库存

30,500

货期

现货

PESDHC2FD4V5BH参数

封装DFN1006-2L
品牌Prisemi(芯导)
MOQ / SPQ1 / 50
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存30500

PESDHC2FD4V5BH概述

PESDHC2FD4V5BH 可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或干扰。 它们具有大横截面积的结点, 可传导高瞬态电流, 并提供理想的板级保护电气特性, 例如快速响应时间和低工作电压。

PESDHC2FD4V5BH特性

暂无产品特性。

PESDHC2FD4V5BH应用领域

暂无应用领域。

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