PESDHC2FD4V5BH
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
PESDHC2FD4V5BH
PESDHC2FD4V5BH 可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或干扰。 它们具有大横截面积的结点, 可传导高瞬态电流, 并提供理想的板级保护电气特性, 例如快速响应时间和低工作电压。
品牌
Prisemi
封装
DFN1006-2L
库存
30,500
货期
现货
PESDHC2FD4V5BH参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | Prisemi(芯导) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 30500 |
PESDHC2FD4V5BH概述
PESDHC2FD4V5BH 可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或干扰。 它们具有大横截面积的结点, 可传导高瞬态电流, 并提供理想的板级保护电气特性, 例如快速响应时间和低工作电压。
PESDHC2FD4V5BH特性
暂无产品特性。
PESDHC2FD4V5BH应用领域
暂无应用领域。
