PESD8351HT1G
IC
SOD-323
可供量大可议
PESD8351HT1G
特性：低工作电压：0.3V。 超低电容：0.5pF（典型值）。 超低泄漏：nA级别。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 符合以下标准: IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±30kV 接触放电：±25kV。 应用：串行ATA。 PCI Express
品牌
TECH PUBLIC
封装
SOD-323
库存
3,010
货期
现货
PESD8351HT1G参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 3010 |
PESD8351HT1G概述
特性：低工作电压：0.3V。 超低电容：0.5pF（典型值）。 超低泄漏：nA级别。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 符合以下标准: IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±30kV 接触放电：±25kV。 应用：串行ATA。 PCI Express
PESD8351HT1G特性
暂无产品特性。
PESD8351HT1G应用领域
暂无应用领域。