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PESD7V0L1BSLAZ-HXY
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

PESD7V0L1BSLAZ-HXY

这款静电和浪涌保护器件, 作为TVS/ESD保护二极管, 拥有8安培的峰值脉冲电流承载能力IPP, 能有效应对瞬时高电流冲击。 其反向工作电压VRWM为7伏特, 在该电压下确保稳定性能, 不会发生击穿。 器件的电容CJ仅为20皮法, 几乎不对信号造成影响, 非常适合高速数据传输线路的保护需求。 采用单通道1 LINE设计, 并且是双向TYPE:Bi类型, 意味着它可以用于双向电路保护, 确保在两个方向上的过压事件都能得到妥善处理。 适用于各种电子设备中的接口保护, 如个人电子产品、通信设备等, 提供可靠的静电放电和瞬态过压保护。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

10,000

货期

现货

PESD7V0L1BSLAZ-HXY参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 50
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存10000

PESD7V0L1BSLAZ-HXY概述

这款静电和浪涌保护器件, 作为TVS/ESD保护二极管, 拥有8安培的峰值脉冲电流承载能力IPP, 能有效应对瞬时高电流冲击。 其反向工作电压VRWM为7伏特, 在该电压下确保稳定性能, 不会发生击穿。 器件的电容CJ仅为20皮法, 几乎不对信号造成影响, 非常适合高速数据传输线路的保护需求。 采用单通道1 LINE设计, 并且是双向TYPE:Bi类型, 意味着它可以用于双向电路保护, 确保在两个方向上的过压事件都能得到妥善处理。 适用于各种电子设备中的接口保护, 如个人电子产品、通信设备等, 提供可靠的静电放电和瞬态过压保护。

PESD7V0L1BSLAZ-HXY特性

暂无产品特性。

PESD7V0L1BSLAZ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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