PESD5V0X1BT-P
IC
SOT-23-3
可供量大可议
PESD5V0X1BT-P
特性：超低电容：典型值0.35pF。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 符合以下标准: IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±20kV 接触放电：±15kV。 应用：手机及配件。 笔记本电脑和手持设备
品牌
TECH PUBLIC
封装
SOT-23-3
库存
3,410
货期
现货
PESD5V0X1BT-P参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 3410 |
PESD5V0X1BT-P概述
特性：超低电容：典型值0.35pF。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 符合以下标准: IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±20kV 接触放电：±15kV。 应用：手机及配件。 笔记本电脑和手持设备
PESD5V0X1BT-P特性
暂无产品特性。
PESD5V0X1BT-P应用领域
暂无应用领域。