PESD5V0H1BSF-N
IC
DFN0603-2
可供量大可议
PESD5V0H1BSF-N
特性：60瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：USB3.0、HDMI2.0、雷电接口。 笔记本电脑、台式机和服务器
品牌
BORN
封装
DFN0603-2
库存
3,280
货期
现货
PESD5V0H1BSF-N参数
| 封装 | DFN0603-2 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 3280 |
PESD5V0H1BSF-N概述
特性：60瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型DFN0603封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：USB3.0、HDMI2.0、雷电接口。 笔记本电脑、台式机和服务器
PESD5V0H1BSF-N特性
暂无产品特性。
PESD5V0H1BSF-N应用领域
暂无应用领域。