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PESD5V0F1BL-HXY
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

PESD5V0F1BL-HXY

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 专为5V系统提供高效抗静电保护。 采用紧凑型1通道设计, 拥有超低结电容0.35pF, 确保在高速数据传输中实现卓越信号完整性。 峰值脉冲电流IPP达4A, 能有效吸收和抑制双向瞬态ESD冲击, 防止敏感电子元件受损, 是现代便携式设备、高速接口及高密度电路板的理想ESD防护解决方案。

Brand

HXY MOSFET

Package

DFN1006-2L

Stock

280

货期

现货

PESD5V0F1BL-HXYParameters

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存280

PESD5V0F1BL-HXY概述

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 专为5V系统提供高效抗静电保护。 采用紧凑型1通道设计, 拥有超低结电容0.35pF, 确保在高速数据传输中实现卓越信号完整性。 峰值脉冲电流IPP达4A, 能有效吸收和抑制双向瞬态ESD冲击, 防止敏感电子元件受损, 是现代便携式设备、高速接口及高密度电路板的理想ESD防护解决方案。

PESD5V0F1BL-HXY特性

暂无产品特性。

PESD5V0F1BL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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