PESD5V0F1BL-HXY
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
PESD5V0F1BL-HXY
这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 专为5V系统提供高效抗静电保护。 采用紧凑型1通道设计, 拥有超低结电容0.35pF, 确保在高速数据传输中实现卓越信号完整性。 峰值脉冲电流IPP达4A, 能有效吸收和抑制双向瞬态ESD冲击, 防止敏感电子元件受损, 是现代便携式设备、高速接口及高密度电路板的理想ESD防护解决方案。
Brand
HXY MOSFET
Package
DFN1006-2L
Stock
280
货期
现货
PESD5V0F1BL-HXYParameters
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 280 |
PESD5V0F1BL-HXY概述
这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 专为5V系统提供高效抗静电保护。 采用紧凑型1通道设计, 拥有超低结电容0.35pF, 确保在高速数据传输中实现卓越信号完整性。 峰值脉冲电流IPP达4A, 能有效吸收和抑制双向瞬态ESD冲击, 防止敏感电子元件受损, 是现代便携式设备、高速接口及高密度电路板的理想ESD防护解决方案。
PESD5V0F1BL-HXY特性
暂无产品特性。
PESD5V0F1BL-HXY应用领域
暂无应用领域。
