PESD5V0C1USF
IC
DFN0603-2
可供量大可议
PESD5V0C1USF
特性：超小封装：0.6×0.3×0.3mm。 超低电容：0.25pF（典型值）。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 应用：手机及配件。 显示端口
品牌
Leiditech
封装
DFN0603-2
库存
7,420
货期
现货
PESD5V0C1USF参数
| 封装 | DFN0603-2 |
|---|---|
| 品牌 | Leiditech(雷卯电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 7420 |
PESD5V0C1USF概述
特性：超小封装：0.6×0.3×0.3mm。 超低电容：0.25pF（典型值）。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 应用：手机及配件。 显示端口
PESD5V0C1USF特性
暂无产品特性。
PESD5V0C1USF应用领域
暂无应用领域。