PESD3V3Z1BSFYL-N
IC
DFN0603-2
可供量大可议
PESD3V3Z1BSFYL-N
特性：40W峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 Snap-Back技术。 低钳位电压。 应用：USB 3.0, USB 2.0, MHL
品牌
BORN
封装
DFN0603-2
库存
5,060
货期
现货
PESD3V3Z1BSFYL-N参数
| 封装 | DFN0603-2 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 5060 |
PESD3V3Z1BSFYL-N概述
特性：40W峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 Snap-Back技术。 低钳位电压。 应用：USB 3.0, USB 2.0, MHL
PESD3V3Z1BSFYL-N特性
暂无产品特性。
PESD3V3Z1BSFYL-N应用领域
暂无应用领域。