PESD3V3Z1BSFYL-HXY
IC
DFN0603-2L
可供量大可议
PESD3V3Z1BSFYL-HXY
IPP:8A, VRWM:3.3V, CJ:0.6pF, LINE:1通道, TYPE:Bi双向
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN0603-2L
库存
380
货期
现货
PESD3V3Z1BSFYL-HXY参数
| 封装 | DFN0603-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 380 |
PESD3V3Z1BSFYL-HXY概述
IPP:8A, VRWM:3.3V, CJ:0.6pF, LINE:1通道, TYPE:Bi双向
PESD3V3Z1BSFYL-HXY特性
暂无产品特性。
PESD3V3Z1BSFYL-HXY应用领域
暂无应用领域。