PESD3V3V1BCSF
IC
DFN0603-2
可供量大可议
PESD3V3V1BCSF
特性：70W 峰值脉冲功率 (tₚ = 8 / 20μs)。 微型 DFN0603-2 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
品牌
UMW
封装
DFN0603-2
库存
6,840
货期
现货
PESD3V3V1BCSF参数
| 封装 | DFN0603-2 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 6840 |
PESD3V3V1BCSF概述
特性：70W 峰值脉冲功率 (tₚ = 8 / 20μs)。 微型 DFN0603-2 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
PESD3V3V1BCSF特性
暂无产品特性。
PESD3V3V1BCSF应用领域
暂无应用领域。