PESD3V3T1BLSAYL-HXY
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
PESD3V3T1BLSAYL-HXY
IPP:9A, VRWM:3.3V, CJ:15pF, LINE:1通道, TYPE:Bi双向
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
190
货期
现货
PESD3V3T1BLSAYL-HXY参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 190 |
PESD3V3T1BLSAYL-HXY概述
IPP:9A, VRWM:3.3V, CJ:15pF, LINE:1通道, TYPE:Bi双向
PESD3V3T1BLSAYL-HXY特性
暂无产品特性。
PESD3V3T1BLSAYL-HXY应用领域
暂无应用领域。